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S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器
product
產(chǎn)品分類(lèi)
2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性
更新時(shí)間：2024-12-05
產(chǎn)品型號(hào)：
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3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的佳性能。波長(zhǎng)分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍的同時(shí)提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會(huì)降低探測(cè)器的性能。
更新時(shí)間：2024-12-05產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1269
10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光電探測(cè)器 InGaAs PIN高速光探測(cè)器陣列芯片
更新時(shí)間：2025-11-10產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1558
100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光電探測(cè)器 InGaAs PIN高速光探測(cè)器陣列芯片
更新時(shí)間：2025-11-10產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1496
2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um（光電探測(cè)器） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時(shí)間：2025-11-11產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1812