研究背景

        光電探測器是一類具有代表性的光電器件，可根據(jù)各種原理將光信號轉換為電信號，在高速光通信、航空航天、深空探測、環(huán)境監(jiān)測等領域具有廣泛應用。根據(jù)光電探測器的工作波長，分為寬帶光電探測器和窄帶光電探測器。寬帶光電探測器波長范圍覆蓋紫外，紅外和可見光區(qū)域，主要應用在多色光探測和成像方面，窄帶光電探測器可用于光學成像、通信和生物傳感等方面。

        金屬納米顆粒的表面等離激元共振效應（SPR）是由入射電磁波誘導金屬納米顆粒共振產(chǎn)生的，對入射波長敏感性高，基于金屬納米顆粒的鈣鈦礦光電探測器，結合金屬納米顆粒SPR的波長選擇性和鈣鈦礦材料優(yōu)異的光電特性，在窄帶光探測領域有廣泛的應用前景。但是金屬納米顆粒與鈣鈦礦的接觸會導致鈣鈦礦的成膜質量下降，降低探測器性能。解決這一難題的方法之一是在金屬納米顆粒和鈣鈦礦之間引入中間層，以改善成膜質量。目前中間層的制備過程復雜，成本較高，選擇合適的中間層材料，并整體優(yōu)化器件的結構、提升鈣鈦礦的成膜質量是實現(xiàn)基于金屬納米顆粒SPR的鈣鈦礦窄帶探測器研究中亟待解決的問題。

        創(chuàng)新研究

        為了制備基于銀納米島膜的鈣鈦礦窄帶光電探測器，天津大學呂且妮教授團隊聯(lián)合戴海濤教授團隊引入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜作為鈣鈦礦和銀島膜之間的中間層，利用光經(jīng)PMMA薄膜的干涉效應增強窄帶，通過前驅液溫度和鈣鈦礦厚度調控窄帶響應，制備了高性能的銀納米島膜基的窄帶光電探測器，實現(xiàn)了窄帶探測實驗。

        PMMA薄膜具有高透光性、制備簡單等特點，是制作中間層的理想材料。團隊首先對PMMA薄膜的厚度進行優(yōu)化，通過改變PMMA溶液濃度和旋涂速度獲得不同厚度的PMMA薄膜，分析了不同厚度PMMA薄膜對器件性能及鈣鈦礦結晶性的影響，實驗結果如圖1所示。光電流與PMMA薄膜厚度有關，在厚度為278 nm處的器件具有較好的鈣鈦礦結晶性，同時薄膜干涉提高了器件的窄帶特性。

圖1 不同PMMA厚度下器件的表征。(a)窄帶響應隨波長的變化曲線；(b)鈣鈦礦器件的FWHM和光電流；(c)銀島膜的透射譜；(d)鈣鈦礦薄膜的XRD譜；(e) (110)衍射峰的放大圖

        為進一步提高鈣鈦礦的結晶性，可通過選擇前驅液溫度優(yōu)化鈣鈦礦晶粒尺寸，如圖2所示，隨著溫度的提高，鈣鈦礦晶粒尺寸先增大后減小，結晶性逐漸增強。當溫度大于60℃時晶粒間出現(xiàn)較大間隙，影響載流子傳輸，因此選擇前驅液溫度為60℃。

圖2 不同前驅液溫度下器件的表征。(a)-(f) 鈣鈦礦SEM圖，前驅液溫度分別為室溫(~25 ℃)、30℃、40℃、50℃、60℃和70 ℃；(g)光電流隨前驅液溫度變化關系，入射光波長為550 nm；(h)不同前驅液溫度時，鈣鈦礦薄膜的XRD譜；(i) (110)衍射峰的放大

        在滿足前兩項優(yōu)化條件的基礎上，對鈣鈦礦吸收層厚度進行探究，結果如圖3所示。通過改變鈣鈦礦前驅液旋涂速度得到不同厚度的鈣鈦礦吸收層，利用光在不同厚度鈣鈦礦中路徑的不同，優(yōu)化對光的吸收，隨著鈣鈦礦前驅液旋涂速度增加，鈣鈦礦薄膜厚度減小，當旋涂速度為5000 r/min時，在窄帶中心波長附近有明顯的光電流增益。

圖3 厚度變化對光傳播路徑和光電流的影響。(a)鈣鈦礦薄膜內光傳播路徑示意圖；(b)不同旋涂速度時，光 電流隨波長變化曲線；(c)歸一化光電流曲線和Si探測器的光電流曲線；(d)不同旋涂速度時的透射譜；(e)不同旋涂速度時樣品的光學圖像

        最后，研究團隊對優(yōu)化后的最終器件進行了性能表征，實現(xiàn)了中心波長為490 nm，F(xiàn)WHM為110 nm的窄帶探測，在2 V的外加偏壓下，響應峰處具有高達0.6 AW^-1的響應度，159 %的高外量子效率和2.73×10¹³ Jones的比探測度，響應時間ton/toff= 247/266 ms。該探測器制備工藝簡單，特別是調控方法簡單、性能高，為窄帶光探測器提供了一種新的制備思路。

        總結

        利用銀納米島膜的SPR和PMMA薄膜的多模式干涉獲得了中心波長490 nm半高寬為110 nm的窄帶光電探測器。制約探測器窄帶性能的主要因素是金屬納米顆粒SPR峰的半高寬，后續(xù)工作將圍繞降低金屬納米顆粒SPR峰半高寬開展。

參考文獻： 中國光學期刊網(wǎng)

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