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垂直腔面發射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser），簡稱VCSEL，是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型，N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個圓形出口，輸出激光。它具有較小的遠場發散角，發散角光束窄且圓；并且閾值電流低，調...

量子級聯激光器是一種能夠發射光譜在中紅外和遠紅外頻段激光的半導體激光器。是基于半導體耦合量子阱子帶(一般為導帶)間的電子躍遷所產生的一種單極性光源。量子指的是通過調整有源區量子阱的厚度可以改變子帶的能級間距，實現對波長的“裁剪”，另外也指器件的尺寸較小。級聯的意思是有源區中上一組成部分的輸出是下一部分的輸入，一級接一級串聯在一起。激光器是指產生特定波長的光源。量子級聯激光器是一種多層的量子阱結構，每一層結構包括一個注入區和一個激發區，其中激發區為三個耦合量子阱。這種激光器的光...

一、太赫茲波太赫茲(terahertz，THz)波是特指一段特殊波段的電磁輻射，狹義的太赫茲波一般是指頻率在0.1～10THz（1THz＝1012Hz），波長為0.03～3mm的電磁波，在電磁波譜中位于微波和紅外線波段之間。而廣義的太赫茲波頻率范圍可包含整個中紅外和遠紅外波段，頻率最高可達100THz。由于太赫茲波在電磁波譜中的位置十分特殊，它處在電子學和光子學的交叉領域，所以既不*適合用經典的光學理論來解釋，也不*適合用電子微波理論來研究。因此，以往在相當長的一段時期內太赫...

一、光濾波器1，光濾波器是用來進行波長選擇的儀器，它可以從眾多的波長中挑選出所需的波長，而除此波長以外的光將會被拒絕通過。它可以用于波長選擇、光放大器的噪聲濾除、增益均衡、光復用/解復用。2，分類A）干涉型：濾波片式濾波片：利用干涉原理只使特定光譜范圍的光通過的光學薄膜。通常由多層薄膜構成。常見干涉濾光片分截止濾光片和帶通濾光片兩類。截止濾光片能把光譜范圍分成兩個區，一個區中的光不能通過（截止區），而另一區中的光能充分通過（通帶區）。典型的截止濾光片有短通濾光片（只允許短波光...

橫河光譜分析儀可用于光譜的測量、各參考點通路信號光功率、各參考點光信噪比、光放大器各個波長的增益系數和增益平坦度的測試，當然，其在測試波長精度時不如波長計準確。它用于檢測不同的元素，就檢測效果而言，它是當前檢測儀器中較準確的儀器。該儀器的分析原理是通過樣品蒸汽中待測元素的基態原子吸收光源輻射的待測元素的特征光譜，由發射光譜的范圍被減弱的程度，從而獲得樣品中待測元素的含量。一、橫河光譜分析儀的工作原理原子發射光譜分析是根據原子所發射的光譜來測定物質的化學組分的。不同物質由不同元...

TDLAS（TunableDiodeLaserAbsorptionSpectroscopy）它是利用激光器波長調制通過被測氣體的特征吸收區，在二極管激光器與長光程吸收池相結合的基礎上，發展起來的新的氣體檢測方法。TDLAS技術采用的半導體激光光源的光譜，寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬，得到單線吸收光譜，因此TDLAS技術是一種高分辨率吸收光譜技術。一、氨氣NH3，是一種易具有刺激性氣味，無色有毒，比空氣輕，弱堿性，沸點較低，極易溶于水，易液化的氣體。在高溫時會分解成氮氣和氫氣，...

DFB半導體激光器：穩定性賽道上有何優勢DFB半導體激光器波長調諧測試一、工作原理當電流注入激光器后，有源區內電子——空穴復合，輻射出能量相應的光子，這些光子將受到有源層表面每一條光柵的反射。在DFB激光器的分布反饋中，此時的反射是布拉格發射，光柵的柵條間入射光和反射光的方向恰好相反，滿足布拉格條件的那些特定波長的光才會受到強烈反射，從而實現動態單縱模工作。在實際應用中，通常把光源做成模塊，同時利用熱敏電阻和冷卻系統進行溫度檢測和溫度自動控制。二、測試儀器測試過程中我們用到了...

一、EDFA基本原理1、摻鉺光纖鉺是一種稀土元素，原子序數是68，原子量為167.3.鉺離子的電子能級如圖所示，由下能級向上能級的躍遷則對應光的吸收過程。而由上能級向下能級的躍遷則對應于光的發射過程。2、EDFA原理EDFA采用摻鉺離子光纖作為增益介質，在泵浦光作用下產生粒子數反轉，在信號光誘導下實現受激輻射放大。鉺離子有三個能級，在未受任何光激勵的情況下，處在最抵能級E1上，當用泵浦光源的激光不斷激發光纖時，處于基態的粒子獲得能量就會向高能級躍遷。如由E1躍遷至E3，由于粒...